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質(zhì)譜儀TSQ Quantis+的離子源參數(shù)怎么優(yōu)化,看詳細(xì)步驟和建議

發(fā)布時(shí)間:2025-07-08       點(diǎn)擊次數(shù):30

質(zhì)譜儀TSQ Quantis+的離子源參數(shù)優(yōu)化是確保質(zhì)譜儀性能的關(guān)鍵步驟。以下是優(yōu)化離子源參數(shù)的詳細(xì)步驟和建議:

1. 離子源參數(shù)設(shè)置

離子源溫度:設(shè)置離子源溫度時(shí),應(yīng)根據(jù)分析物的分子量和性質(zhì)選擇合適的溫度。一般來(lái)說(shuō),溫度范圍在200°C到350°C之間。對(duì)于高沸點(diǎn)化合物,建議使用較高的溫度以提高響應(yīng)。

鞘氣壓力:通常設(shè)置為30psi左右,以確保穩(wěn)定的離子傳輸。

輔助氣流速:一般設(shè)置為10arb左右,以優(yōu)化離子束密度和穩(wěn)定性。

毛細(xì)管溫度:通常設(shè)置為300°C到350°C之間,具體溫度需根據(jù)分析物的性質(zhì)調(diào)整。

噴霧電壓:在正離子模式下,噴霧電壓通常設(shè)置在3000V到4000V之間;在負(fù)離子模式下,噴霧電壓通常設(shè)置在-3000V到-4000V之間。

碰撞能量:在優(yōu)化SRM方法時(shí),碰撞能量需要根據(jù)目標(biāo)化合物進(jìn)行調(diào)整??梢允褂米詣?dòng)優(yōu)化功能(如AutoSRM)來(lái)確定良佳碰撞能量


2. 自動(dòng)優(yōu)化流程

調(diào)諧校準(zhǔn):在進(jìn)行離子源參數(shù)優(yōu)化之前,建議先一步進(jìn)行儀器的調(diào)諧校準(zhǔn)。使用標(biāo)準(zhǔn)調(diào)諧化合物(如利血ping)進(jìn)行調(diào)諧,確保儀器處于良佳狀態(tài)。

化合物優(yōu)化:在Tune Master中選擇“Compound Optimization Workspace”,設(shè)置優(yōu)化參數(shù),如噴霧電壓、毛細(xì)管溫度和透鏡補(bǔ)償電壓。通過(guò)自動(dòng)優(yōu)化流程,可以快速找到良佳參數(shù)組合。

保存調(diào)諧文件:優(yōu)化完成后,保存調(diào)諧文件以便后續(xù)使用。


3. 其他注意事項(xiàng)

離子源清潔:定期清潔離子源,以防止污染物積累影響靈敏度。

噴霧位置優(yōu)化:在HESI和APCI模式下,可以通過(guò)優(yōu)化噴霧位置來(lái)提高離子源性能。

環(huán)境條件:確保實(shí)驗(yàn)室環(huán)境溫度穩(wěn)定,避免氣流和振動(dòng)對(duì)儀器性能的影響。


通過(guò)以上步驟和參數(shù)設(shè)置,可以有效優(yōu)化TSQ Quantis+的離子源性能,提高質(zhì)譜分析的靈敏度和準(zhǔn)確性。


570319569

TEL:400-800-3875

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